SERVICIOS

Mediante el acceso a los servicios de la Red es posible acceder a las instalaciones aportadas por cada uno de los tres nodos de forma global (acceso combinado a las tecnologías o instalaciones de dos o más nodos) o de forma unitaria (acceso a las tecnologías y/o instalaciones de un solo nodo).

Puede solicitar el acceso a los servicios de la Red MICRONANOFABS de forma centralizada rellenando telemáticamente el siguiente formulario.

SERVICIOS IMB-CNM

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El IMB-CNM oferta a través de la ICTS servicios en las siguientes áreas tecnológicas de su Sala Blanca y servicios asociados:

TECNICAS DE PROCESADO

PROCESOS TÉRMICOS Y DE DEPÓSITO QUÍMICO EN FASE VAPOR (CVD)

  • Oxidación y recocido en hornos de difusión tubulares
  • Depósito de óxidos y nitruros de silicio, silicio policristalino y BPSG en sistemas de baja presión LPCVD y asistidos por plasma PECVD
  • Depósito de dieléctricos high-k por la técnica de depósito por capas atómicas: ALD térmico
  • Procesos de procesado térmico rápido RTP de alta temperatura para la tecnología de SiC

IMPLANTACIÓN IÓNICA

  • Implantación de iones de distintas especies: B, P, As, N, Ar, Al, Si, Mg, O, He

METALIZACIÓN

  • Depósito de películas delgadas con sistemas de pulverización catódica DC y DC / RF o en sistemas de evaporación térmica y de haz de electrones e-beam, para una variedad de materiales: Al-Cu(5%), Cu, Ti, W, Ni, Au, Cr y Ag

FOTOLITOGRAFÍA

  • Litografía de Contacto / proximidad y de doble cara alineadoras de máscaras de contacto
  • Steppers g-line e i-line
  • Recubrimiento automático / sistema de revelado de resinas
  • Litografía láser sin máscara (i-line)
  • Procesado de resinas estándar y especiales (gruesas)

NANOLITOGRAFÍA / NANOFABRICACIÓN CON RESOLUCIÓN SUB-100 NM

  • Litografía por haz de electrones e-beam
  • Litografía por nanoimpresión NIL
  • Focused Ion Beam FIB
  • Litografía de fuerzas atómicas AFM

GRABADO SECO (BASADO EN PLASMA)

  • Grabado iónico reactivo RIE para aluminio, polisilicio, óxido de silicio y nitruro de silicio
  • RIE profundo (DRIE) para silicio y dióxido de silicio
  • Eliminación de fotoresinas

GRABADO HÚMEDO

  • Ataques químicos isotrópicos en solución acuosa de una variedad de materiales
  • Procesos de limpieza de fabricación microelectrónica

PROCESOS DE MICROSISTEMAS

  • Micromecanizado en volumen de Silico. Grabado húmedo anisotrópico con soluciones alcalinas
  • Micromecanizado superficial de Silicio
  • Secado de punto crítico para la liberación de las estructuras micromecanizadas
  • Procesos de lift-off
  • Soldadura de obleas: Si-Si, Si-pyrex

TÉCNICAS DE ENCAPSULADO, INTEGRACIÓN Y CARACTERIZACIÓN DE DISPOSITIVOS

ENCAPSULADO

  • Corte de obleas y separación dechips
  • Procesos de encapsulado de chips, incluyendo montaje en superficie SMD y flip-chip
  • Soldadura con hilos Wire-bonding

CARACTERIZACIÓN ELÉCTRICA

  • Caracterización de dispositivos y extracción de parámetros
  • Test paramétrico en oblea
  • Diseño de estructuras de test
  • Desarrollo de nuevas técnicas de medida

CARACTERIZACIÓN ESTRUCTURAL Y MICROSCOPÍA

  • Medidas de espesores de capas y perfiles
  • Microscopía óptica de contraste, polarización y co-focal
  • Microscopía electrónica SEM
  • Caracterización EDX en SEM
  • Microscopía de Fuerzas Atómicas AFM

INGENIERÍA INVERSA Y FIABILIDAD

  • Reconstrucción de los bloques lógicos de un circuito integrado
  • Desencapsulado y recuperación de dispositivos electrónicos y circuitos integrados
  • Caracterización tecnológica de dispositivos electrónicos y circuitos integrados
  • Edición de circuitos integrados mediante laser y/o FIB (Focused Ion Beam)

DISEÑO DE CIRCUITOS INTEGRADOS E INTEGRACIÓN DE SISTEMAS ELECTRÓNICOS

  • Caracterización de circuitos y dispositivos
  • Diseño de circuitos impresos (PCB)
  • Diseño de circuitos y sistemas: IC design
  • Montaje de componentes en PCB

SERVICIOS ISOM

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El ISOM y su Central de Tecnología ofertan a través de la ICTS servicios en las siguientes áreas tecnológicas:

CRECIMIENTO DE MUESTRAS

  • Depósitos en evaporadoras Joule (Au, Au, AuGe, AuZn, Ni, etc)
  • Depósitos en evaporadoras por cañón de electrones (Au, Pt, Ti, Al, etc.)
  • Depósito químico en fase de vapor (CVD) de aislantes (sistemas Si-O-N)
  • Pulverización catódica (Sputtering) de materiales magnéticos (Fe, Ni, Co, FeNi, etc)
  • Epitaxia de haces moleculares (MBE) de semiconductores (familias AlGaInAs y AlGaInN)
  • Electrodeposición de capas de Au, Ni, CoP, etc.
  • Fabricación de puentes aéreos de contacto

TÉCNICAS DE PROCESADO

LITOGRAFÍA

  • Nanolitografía «e-line» (resolución de línea > 10 nm)
  • Litografía electrónica (eBL) (resolución > 300 nm)
  • Fotolitografía (resolución > 1 micra)
  • Diseño máscaras ópticas

TRATAMIENTO QUÍMICO Y MECÁNICO

  • Limpieza (orgánicos, ácidos, bases…)
  • Ataque húmedo
  • Ataque Seco (RIE)

PROCESOS TÉRMICOS

  • Recocido convencional
  • Recocido rápido, RTA

SOLDADURA Y ENCAPSULADO

  • Soldadura con hilos wire bonding
  • Encapsulado y wire bonding en TO-5, TO-8 y otras cápsulas
  • Pulido (máquina manual)
  • Corte de precisión

CARACTERIZACIÓN DE MUESTRAS

ÓPTICA

  • Preparación de muestras para medidas a baja temperatura y a temperatura ambiente
  • Medida de Fotoluminiscencia (IR-VIS-UV), en el rango 10-300K
  • Medida de electroluminiscencia
  • Medida de FTIRS (600 nm-20 micras)

OPTOELECTRÓNICA

  • Preparación dispositivo
  • Medida de responsividad espectral de detectores (desde 12 micras a 200 nm)
  • Medida de emisión espectral láser (desde 600 a 1700 nm)
  • Medida de emisión espectral luminiscente (desde 200 nm a 2.5 micras)
  • Medida de curvas L-I de láseres en UV-VIS-IR

ELÉCTRICA Y MAGNÉTICA

  • Medidas de resistividad, temperatura ambiente
  • Medida de propiedades de transporte por efecto Hall, variable con la temperatura (15-300K)
  • Medida de I-V y C-V, temperatura ambiente, dependencia con la temperatura y con la frecuencia
  • Medida de ciclos de histéresis en películas delgadas

ESTRUCTURAL Y MICROSCOPÍA

  • Medidas de espesores de láminas y perfiles
  • Fotografía microscopio de contraste y polarización
  • Preparación de muestras para estudio SEM
  • Caracterización EDX en SEM, con referencia
  • Caracterización de superficies en SEM
  • Caracterización AFM y MFM
  • Espectro de Difracción de Rayos-X

SERVICIOS NTC

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El NTC a través de sus instalaciones de Micro/Nanofabricación y laboratorios asociados oferta a la ICTS las siguientes técnicas:

TÉCNICAS DE PROCESADO

PROCESOS TÉRMICOS

  • Procesos Térmicos para oxidación y Recocido
  • Horno de «rapid thermal annealing»

DEPÓSITO DE CAPAS

  • Deposición de polisilicio y dieléctricos por PECVD
  • Óxido de Silicio basado en TEOS dopado con B&P
  • Sistemas de evaporación por PVD (Deposición Física por Vapor) y e-beam

LITOGRAFÍA

  • Sistemas de procesado de fotorresinas y revelado
  • UV Mask aligner and I-line stepperP
  • e-beam direct writing

GRABADO SECO

  • Ataque seco (ICP-RIE): ataque de polisilicio y dieléctricos y ataques de óxido
  • Ataque de fotorresinas

GRABADO HÚMEDO

  • Ataque y limpiezas químicas
  • Procesos de Lift-Off

IMPLANTACIÓN IÓNICA

  • Implantador iónico

LÍNEA COMPLETA DE ACOPLO Y ENCAPSULADO

  • Die-attach
  • Wire-bonding, Ribbon Bonding
  • Flip-chip
  • Thermocompresión
  • Reflow (flux-free) con laser
  • Flux less / solder paste / void free soldering
  • Wafer bump reflow
  • Empalme de fibras

TECNICAS DE CARACTERIZACIÓN DE DISPOSITIVOS

  • Caracterización física (SEM, AFM, Perfilómetro)
  • Espectroscopia RAMAN
  • Microscopía NSOM
  • Caracterización óptica (FTIR, Medida de índice de refracción)
  • Caracterización eléctrica (IV, EQE/IQE, Lifetime, Resistencia de hoja y contacto)