SERVICIOS
Mediante el acceso a los servicios de la Red es posible acceder a las instalaciones aportadas por cada uno de los tres nodos de forma global (acceso combinado a las tecnologías o instalaciones de dos o más nodos) o de forma unitaria (acceso a las tecnologías y/o instalaciones de un solo nodo).
Puede solicitar el acceso a los servicios de la Red Micronanofabs de forma centralizada rellenando este formulario.
- TÉCNICAS DE PROCESADO
PROCESOS TÉRMICOS
Técnicas que requieren el uso de altas temperaturas a presión atmosférica o al vacío para el depósito de capas dieléctricas o polisilicio.
Oxidación térmica del silicio Procesos de difusión y recocido Procesado térmico rápido (RTP)
Deposición química de vapor a baja presión (LPCVD) Deposición química de vapor asistida por plasma (PECVD) Deposición de capas atómicas (ALD, PEALD)
IMPLANTACIÓN IÓNICA
Técnicas que utilizadas en la industria de los semiconductores para introducir iones en la superficie de las obleas y cambiar su conductividad.
Dopaje superficial con diferentes especies atómicas (B, P, As, N, Al, Si, Mg, O, He)
GRABADO SECO
Técnicas de grabado seco por plasma sobre diferentes materiales.
Grabado iónico reactivo (RIE, ICP-RIE) Sistemas de grabado iónico reactivo profundo (DeepRIE) Grabado fotorresistente
Fresado del ion Ar Plasma de oxígeno
METALIZACIÓN
Técnicas de deposición de películas finas metálicas de diferentes materiales.
Deposición física de vapor (PVD) en sistemas de pulverización catódica «sputtering» de CC y CC/RF Deposición física de vapor (PVD) en sistemas de evaporación térmica o con haz de electrones Deposición por evaporación Joule Electrodeposición
GRABADOS HÚMEDOS
Técnicas específicas de grabado de materiales en ambientes líquidos.
Grabado húmedo isótropo de metales y dieléctricos Lift-off Deposición de metales
Unión de obleas Limpieza superficial de las obleas Decapado de fotorresinas en húmedo
LITOGRAFÍA
Técnicas de transmisión de patrones de una máscara a un sustrato con resolución micro o submicrométrica y de caracterización de materiales, procesos y dispositivos fabricados a escala nanométrica.
Litografía por proximidad o contacto Litografía por proyección Litografía directa por láser Litografía por haz de electrónes (EBL) Nanofabricación basada en AFM Nanoimpresión
Haz de iones focalizado (FIB) Microscopía electrónica de barrido (SEM) Procesado de resistencias Microscopía óptica (OM) Diseño de máscaras Fabricación de contactos por puentes aéreos
- CRECIMIENTO DEL MATERIAL
EPITAXIA DE HACES MOLECULARES (MBE)
Técnica altamente especializada para el crecimiento de capas cristalinas delgadas de alta calidad con precisión atómica. Con esta técnica, se tiene la capacidad de controlar la composición, el grosor y el dopado de las películas semiconductoras a nivel atómico y se pueden crecer películas de GaAs, GaN, AIGaAs, InP con distintos niveles de dopado.
Epitaxia de hacer moleculares (MBE) para semiconductores
- CARACTERIZACIÓN DE DISPOSITIVOS
CARACTERIZACIÓN
Parte del postprocesado que se encarga de la monitorización de los procesos, la evaluación y los estudios de calidad de los dispositivos fabricados.
Microscopia óptica Preparación del dispositivo Reflectancia espectral Elipsometría espectral Perfilometría óptica 3D Perfilometría mecánica Espectroscopia Transformada de Fourier (FT-IR) Espectroscopia RAMAN Microscopía óptica de barrido de campo cercano (SNOM) Curvas L-I en láseres UV-VIS-IR Medición efecto Hall Medición del espesor en películas finas y medidas de superficie Medición de la resistencia en la lámina Medición de la curvatura y el grosor Medición del tiempo de la vida
Medición de fotoluminiscencia (IR-VIS-UV) Medición de electroluminiscencia Medición de resistividad Medición de la respuesta espectral de los detectores Medición espectral de la emisión láser Medición de la emisión espectral de luminiscencia Ciclo de histéresis Test paramétrico Diseño y caracterización de estructuras de test Configuración de nuevas técnicas de medición de obleas Caracterización de dispositivos electrónicos Caracterización optoelectrónica Caracterización eléctrica y magnética Caracterización por microscopía SEM
- ENCAPSULADO E INTEGRACIÓN
ENCAPSULADO
Serie de técnicas mediante las cuales se busca envolver el dispositivo semiconductor en una carcasa de cerámica para protegerlo del daño físico.
Adhesión y corte de obleas de silicio y sustratos de distintos materiales Pulido Soldadura Dosificiación de adhesivos epoxídicos
Wirebonding Ribbon bonding Flip Chip
INTEGRACIÓN
Pruebas finales para comprobar el correcto funcionamiento de los sistemas del dispositivo.
Prueba destructiva o no destructiva Prueba de unión de conexiones Test de la soldadura por test de cizalla