SERVICIOS

Mediante el acceso a los servicios de la Red es posible acceder a las instalaciones aportadas por cada uno de los tres nodos de forma global (acceso combinado a las tecnologías o instalaciones de dos o más nodos) o de forma unitaria (acceso a las tecnologías y/o instalaciones de un solo nodo).

Puede solicitar el acceso a los servicios de la Red Micronanofabs de forma centralizada rellenando este formulario.

  • TÉCNICAS DE PROCESADO

PROCESOS TÉRMICOS

Técnicas que requieren el uso de altas temperaturas a presión atmosférica o al vacío para el depósito de capas dieléctricas o polisilicio.

Oxidación térmica del silicio
Procesos de difusión y recocido
Procesado térmico rápido (RTP)

Deposición química de vapor a baja presión (LPCVD)
Deposición química de vapor asistida por plasma (PECVD)
Deposición de capas atómicas (ALD, PEALD)

IMPLANTACIÓN IÓNICA

Técnicas que utilizadas en la industria de los semiconductores para introducir iones en la superficie de las obleas y cambiar su conductividad.

Dopaje superficial con diferentes especies atómicas (B, P, As, N, Al, Si, Mg, O, He)

GRABADO SECO

Técnicas de grabado seco por plasma sobre diferentes materiales.

Grabado iónico reactivo (RIE, ICP-RIE)
Sistemas de grabado iónico reactivo profundo (DeepRIE)
Grabado fotorresistente

Fresado del ion Ar
Plasma de oxígeno

METALIZACIÓN

Técnicas  de deposición de películas finas metálicas de diferentes materiales.

Deposición física de vapor (PVD) en sistemas de pulverización catódica «sputtering» de CC y CC/RF
Deposición física de vapor (PVD) en sistemas de evaporación térmica o con haz de electrones
Deposición por evaporación Joule
Electrodeposición

GRABADOS HÚMEDOS

Técnicas específicas de grabado de materiales en ambientes líquidos.

Grabado  húmedo isótropo de metales y dieléctricos
Lift-off
Deposición de metales

Unión de obleas
Limpieza superficial de las obleas
Decapado de fotorresinas en húmedo

    LITOGRAFÍA

    Técnicas de transmisión de patrones de una máscara a un sustrato con resolución micro o submicrométrica y de caracterización de materiales, procesos y dispositivos fabricados a escala nanométrica.

    Litografía por proximidad o contacto
    Litografía por proyección
    Litografía directa por láser
    Litografía por haz de electrónes (EBL)
    Nanofabricación basada en AFM
    Nanoimpresión

    Haz de iones focalizado (FIB)
    Microscopía electrónica de barrido (SEM)
    Procesado de resistencias
    Microscopía óptica (OM)
    Diseño de máscaras
    Fabricación de contactos por puentes aéreos

    • CRECIMIENTO DEL MATERIAL

    EPITAXIA DE HACES MOLECULARES (MBE)

    Técnica altamente especializada para el crecimiento de capas cristalinas delgadas de alta calidad con precisión atómica. Con esta técnica, se tiene la capacidad de controlar la composición, el grosor y el dopado de las películas semiconductoras a nivel atómico y se pueden crecer películas de GaAs, GaN, AIGaAs, InP con distintos niveles de dopado.

    Epitaxia de hacer moleculares (MBE) para semiconductores

    • CARACTERIZACIÓN DE DISPOSITIVOS

    CARACTERIZACIÓN

    Parte del postprocesado que se encarga de la monitorización de los procesos, la evaluación y los estudios de calidad de los dispositivos fabricados.

    Microscopia óptica
    Preparación del dispositivo
    Reflectancia espectral
    Elipsometría espectral
    Perfilometría óptica 3D
    Perfilometría mecánica
    Espectroscopia Transformada de Fourier (FT-IR)
    Espectroscopia RAMAN
    Microscopía óptica de barrido de campo cercano (SNOM)
    Curvas L-I en láseres UV-VIS-IR
    Medición efecto Hall
    Medición del espesor en películas finas y medidas de superficie
    Medición de la resistencia en la lámina
    Medición de la curvatura y el grosor
    Medición del tiempo de la vida

    Medición de fotoluminiscencia (IR-VIS-UV)
    Medición de electroluminiscencia
    Medición de resistividad
    Medición de la respuesta espectral de los detectores
    Medición espectral de la emisión láser
    Medición de la emisión espectral de luminiscencia
    Ciclo de histéresis
    Test paramétrico
    Diseño y caracterización de estructuras de test
    Configuración de nuevas técnicas de medición de obleas
    Caracterización de dispositivos electrónicos
    Caracterización optoelectrónica
    Caracterización eléctrica y magnética
    Caracterización por microscopía SEM

    • ENCAPSULADO E INTEGRACIÓN

    ENCAPSULADO

    Serie de técnicas mediante las cuales se busca envolver el dispositivo semiconductor en una carcasa de cerámica para protegerlo del daño físico.

    Adhesión y corte de obleas de silicio y sustratos de distintos materiales
    Pulido
    Soldadura
    Dosificiación de adhesivos epoxídicos

    Wirebonding
    Ribbon bonding
    Flip Chip

    INTEGRACIÓN

    Pruebas finales para comprobar el correcto funcionamiento de los sistemas del dispositivo.

    Prueba destructiva o no destructiva
    Prueba de unión de conexiones
    Test de la soldadura por test de cizalla