Mediante el acceso a los servicios de la Red es posible acceder a las instalaciones aportadas por cada uno de los tres nodos de forma global (acceso combinado a las tecnologías o instalaciones de dos o más nodos) o de forma unitaria (acceso a las tecnologías y/o instalaciones de un solo nodo).
Puede solicitar el acceso a los servicios de la Red MICRONANOFABS de forma centralizada rellenando telemáticamente el siguiente formulario.
SERVICIOS IMB-CNM

El IMB-CNM oferta a través de la ICTS servicios en las siguientes áreas tecnológicas de su Sala Blanca y servicios asociados:
TECNICAS DE PROCESADO
PROCESOS TÉRMICOS Y DE DEPÓSITO QUÍMICO EN FASE VAPOR (CVD)
- Oxidación y recocido en hornos de difusión tubulares
- Depósito de óxidos y nitruros de silicio, silicio policristalino y BPSG en sistemas de baja presión LPCVD y asistidos por plasma PECVD
- Depósito de dieléctricos high-k por la técnica de depósito por capas atómicas: ALD térmico
- Procesos de procesado térmico rápido RTP de alta temperatura para la tecnología de SiC
IMPLANTACIÓN IÓNICA
- Implantación de iones de distintas especies: B, P, As, N, Ar, Al, Si, Mg, O, He
METALIZACIÓN
- Depósito de películas delgadas con sistemas de pulverización catódica DC y DC / RF o en sistemas de evaporación térmica y de haz de electrones e-beam, para una variedad de materiales: Al-Cu(5%), Cu, Ti, W, Ni, Au, Cr y Ag
FOTOLITOGRAFÍA
- Litografía de Contacto / proximidad y de doble cara alineadoras de máscaras de contacto
- Steppers g-line e i-line
- Recubrimiento automático / sistema de revelado de resinas
- Litografía láser sin máscara (i-line)
- Procesado de resinas estándar y especiales (gruesas)
NANOLITOGRAFÍA / NANOFABRICACIÓN CON RESOLUCIÓN SUB-100 NM
- Litografía por haz de electrones e-beam
- Litografía por nanoimpresión NIL
- Focused Ion Beam FIB
- Litografía de fuerzas atómicas AFM
GRABADO SECO (BASADO EN PLASMA)
- Grabado iónico reactivo RIE para aluminio, polisilicio, óxido de silicio y nitruro de silicio
- RIE profundo (DRIE) para silicio y dióxido de silicio
- Eliminación de fotoresinas
GRABADO HÚMEDO
- Ataques químicos isotrópicos en solución acuosa de una variedad de materiales
- Procesos de limpieza de fabricación microelectrónica
PROCESOS DE MICROSISTEMAS
- Micromecanizado en volumen de Silico. Grabado húmedo anisotrópico con soluciones alcalinas
- Micromecanizado superficial de Silicio
- Secado de punto crítico para la liberación de las estructuras micromecanizadas
- Procesos de lift-off
- Soldadura de obleas: Si-Si, Si-pyrex
TÉCNICAS DE ENCAPSULADO, INTEGRACIÓN Y CARACTERIZACIÓN DE DISPOSITIVOS
ENCAPSULADO
- Corte de obleas y separación dechips
- Procesos de encapsulado de chips, incluyendo montaje en superficie SMD y flip-chip
- Soldadura con hilos Wire-bonding
CARACTERIZACIÓN ELÉCTRICA
- Caracterización de dispositivos y extracción de parámetros
- Test paramétrico en oblea
- Diseño de estructuras de test
- Desarrollo de nuevas técnicas de medida
CARACTERIZACIÓN ESTRUCTURAL Y MICROSCOPÍA
- Medidas de espesores de capas y perfiles
- Microscopía óptica de contraste, polarización y co-focal
- Microscopía electrónica SEM
- Caracterización EDX en SEM
- Microscopía de Fuerzas Atómicas AFM
INGENIERÍA INVERSA Y FIABILIDAD
- Reconstrucción de los bloques lógicos de un circuito integrado
- Desencapsulado y recuperación de dispositivos electrónicos y circuitos integrados
- Caracterización tecnológica de dispositivos electrónicos y circuitos integrados
- Edición de circuitos integrados mediante laser y/o FIB (Focused Ion Beam)
DISEÑO DE CIRCUITOS INTEGRADOS E INTEGRACIÓN DE SISTEMAS ELECTRÓNICOS
- Caracterización de circuitos y dispositivos
- Diseño de circuitos impresos (PCB)
- Diseño de circuitos y sistemas: IC design
- Montaje de componentes en PCB
SERVICIOS ISOM

El ISOM y su Central de Tecnología ofertan a través de la ICTS servicios en las siguientes áreas tecnológicas:
CRECIMIENTO DE MUESTRAS
- Depósitos en evaporadoras Joule (Au, Au, AuGe, AuZn, Ni, etc)
- Depósitos en evaporadoras por cañón de electrones (Au, Pt, Ti, Al, etc.)
- Depósito químico en fase de vapor (CVD) de aislantes (sistemas Si-O-N)
- Pulverización catódica (Sputtering) de materiales magnéticos (Fe, Ni, Co, FeNi, etc)
- Epitaxia de haces moleculares (MBE) de semiconductores (familias AlGaInAs y AlGaInN)
- Electrodeposición de capas de Au, Ni, CoP, etc.
- Fabricación de puentes aéreos de contacto
TÉCNICAS DE PROCESADO
LITOGRAFÍA
- Nanolitografía «e-line» (resolución de línea > 10 nm)
- Litografía electrónica (eBL) (resolución > 300 nm)
- Fotolitografía (resolución > 1 micra)
- Diseño máscaras ópticas
TRATAMIENTO QUÍMICO Y MECÁNICO
- Limpieza (orgánicos, ácidos, bases…)
- Ataque húmedo
- Ataque Seco (RIE)
PROCESOS TÉRMICOS
- Recocido convencional
- Recocido rápido, RTA
SOLDADURA Y ENCAPSULADO
- Soldadura con hilos wire bonding
- Encapsulado y wire bonding en TO-5, TO-8 y otras cápsulas
- Pulido (máquina manual)
- Corte de precisión
CARACTERIZACIÓN DE MUESTRAS
ÓPTICA
- Preparación de muestras para medidas a baja temperatura y a temperatura ambiente
- Medida de Fotoluminiscencia (IR-VIS-UV), en el rango 10-300K
- Medida de electroluminiscencia
- Medida de FTIRS (600 nm-20 micras)
OPTOELECTRÓNICA
- Preparación dispositivo
- Medida de responsividad espectral de detectores (desde 12 micras a 200 nm)
- Medida de emisión espectral láser (desde 600 a 1700 nm)
- Medida de emisión espectral luminiscente (desde 200 nm a 2.5 micras)
- Medida de curvas L-I de láseres en UV-VIS-IR
ELÉCTRICA Y MAGNÉTICA
- Medidas de resistividad, temperatura ambiente
- Medida de propiedades de transporte por efecto Hall, variable con la temperatura (15-300K)
- Medida de I-V y C-V, temperatura ambiente, dependencia con la temperatura y con la frecuencia
- Medida de ciclos de histéresis en películas delgadas
ESTRUCTURAL Y MICROSCOPÍA
- Medidas de espesores de láminas y perfiles
- Fotografía microscopio de contraste y polarización
- Preparación de muestras para estudio SEM
- Caracterización EDX en SEM, con referencia
- Caracterización de superficies en SEM
- Caracterización AFM y MFM
- Espectro de Difracción de Rayos-X
SERVICIOS NTC

El NTC a través de sus instalaciones de Micro/Nanofabricación y laboratorios asociados oferta a la ICTS las siguientes técnicas:
TÉCNICAS DE PROCESADO
PROCESOS TÉRMICOS
- Procesos Térmicos para oxidación y Recocido
- Horno de «rapid thermal annealing»
DEPÓSITO DE CAPAS
- Deposición de polisilicio y dieléctricos por PECVD
- Óxido de Silicio basado en TEOS dopado con B&P
- Sistemas de evaporación por PVD (Deposición Física por Vapor) y e-beam
LITOGRAFÍA
- Sistemas de procesado de fotorresinas y revelado
- UV Mask aligner and I-line stepperP
- e-beam direct writing
GRABADO SECO
- Ataque seco (ICP-RIE): ataque de polisilicio y dieléctricos y ataques de óxido
- Ataque de fotorresinas
GRABADO HÚMEDO
- Ataque y limpiezas químicas
- Procesos de Lift-Off
IMPLANTACIÓN IÓNICA
- Implantador iónico
LÍNEA COMPLETA DE ACOPLO Y ENCAPSULADO
- Die-attach
- Wire-bonding, Ribbon Bonding
- Flip-chip
- Thermocompresión
- Reflow (flux-free) con laser
- Flux less / solder paste / void free soldering
- Wafer bump reflow
- Empalme de fibras
TECNICAS DE CARACTERIZACIÓN DE DISPOSITIVOS
- Caracterización física (SEM, AFM, Perfilómetro)
- Espectroscopia RAMAN
- Microscopía NSOM
- Caracterización óptica (FTIR, Medida de índice de refracción)
- Caracterización eléctrica (IV, EQE/IQE, Lifetime, Resistencia de hoja y contacto)