Mediante el acceso a los servicios de la Red es posible acceder a las instalaciones aportadas por cada uno de los tres nodos de forma global (acceso combinado a las tecnologías o instalaciones de dos o más nodos) o de forma unitaria (acceso a las tecnologías y/o instalaciones de un solo nodo).

Puede solicitar el acceso a los servicios de la Red MICRONANOFABS de forma centralizada rellenando telemáticamente el siguiente formulario.

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El IMB-CNM oferta a través de la ICTS servicios en las siguientes áreas tecnológicas de su Sala Blanca y servicios asociados:

• Oxidación y recocido en hornos de difusión tubulares
• Depósito de óxidos y nitruros de silicio, silicio policristalino y BPSG en sistemas de baja presión LPCVD y asistidos por plasma PECVD
• Depósito de dieléctricos high-k por la técnica de depósito por capas atómicas: ALD térmico
• Procesos de procesado térmico rápido RTP de alta temperatura para la tecnología de SiC

• Implantación de iones de distintas especies: B, P, As, N, Ar, Al, Si, Mg, O, He

• Depósito de películas delgadas con sistemas de pulverización catódica DC y DC / RF o en sistemas de evaporación térmica y de haz de electrones e-beam, para una variedad de materiales: Al-Cu(5%), Cu, Ti, W, Ni, Au, Cr y Ag

• Litografía de Contacto / proximidad y de doble cara alineadoras de máscaras de contacto
• Steppers g-line e i-line
• Recubrimiento automático / sistema de revelado de resinas
• Litografía láser sin máscara (i-line)
• Procesado de resinas estándar y especiales (gruesas)

• Litografía por haz de electrones e-beam
• Litografía por nanoimpresión NIL
• Focused Ion Beam FIB
• Litografía de fuerzas atómicas AFM

• Grabado iónico reactivo RIE para aluminio, polisilicio, óxido de silicio y nitruro de silicio
• RIE profundo (DRIE) para silicio y dióxido de silicio
• Eliminación de fotoresinas

• Ataques químicos isotrópicos en solución acuosa de una variedad de materiales
• Procesos de limpieza de fabricación microelectrónica

• Micromecanizado en volumen de Silico. Grabado húmedo anisotrópico con soluciones alcalinas
• Micromecanizado superficial de Silicio
• Secado de punto crítico para la liberación de las estructuras micromecanizadas
• Procesos de lift-off
• Soldadura de obleas: Si-Si, Si-pyrex

• Corte de obleas y separación dechips
• Procesos de encapsulado de chips, incluyendo montaje en superficie SMD y flip-chip
• Soldadura con hilos Wire-bonding

• Caracterización de dispositivos y extracción de parámetros
• Test paramétrico en oblea
• Diseño de estructuras de test
• Desarrollo de nuevas técnicas de medida

• Medidas de espesores de capas y perfiles
• Microscopía óptica de contraste, polarización y co-focal
• Microscopía electrónica SEM
• Caracterización EDX en SEM
• Microscopía de Fuerzas Atómicas AFM

• Reconstrucción de los bloques lógicos de un circuito integrado
• Desencapsulado y recuperación de dispositivos electrónicos y circuitos integrados
• Caracterización tecnológica de dispositivos electrónicos y circuitos integrados
• Edición de circuitos integrados mediante laser y/o FIB (Focused Ion Beam)

• Caracterización de circuitos y dispositivos
• Diseño de circuitos impresos (PCB)
• Diseño de circuitos y sistemas: IC design
• Montaje de componentes en PCB

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El ISOM y su Central de Tecnología ofertan a través de la ICTS servicios en las siguientes áreas tecnológicas:

• Depósitos en evaporadoras Joule (Au, Au, AuGe, AuZn, Ni, etc)
• Depósitos en evaporadoras por cañón de electrones (Au, Pt, Ti, Al, etc.)
• Depósito químico en fase de vapor (CVD) de aislantes (sistemas Si-O-N)
• Pulverización catódica (Sputtering) de materiales magnéticos (Fe, Ni, Co, FeNi, etc)
• Epitaxia de haces moleculares (MBE) de semiconductores (familias AlGaInAs y AlGaInN)
• Electrodeposición de capas de Au, Ni, CoP, etc.
• Fabricación de puentes aéreos de contacto

• Nanolitografía «e-line» (resolución de línea > 10 nm)
• Litografía electrónica (eBL) (resolución > 300 nm)
• Fotolitografía (resolución > 1 micra)
• Diseño máscaras ópticas

• Limpieza (orgánicos, ácidos, bases…)
• Ataque húmedo
• Ataque Seco (RIE)

• Recocido convencional
• Recocido rápido, RTA

• Soldadura con hilos wire bonding
• Encapsulado y wire bonding en TO-5, TO-8 y otras cápsulas
• Pulido (máquina manual)
• Corte de precisión

• Preparación de muestras para medidas a baja temperatura y a temperatura ambiente
• Medida de Fotoluminiscencia (IR-VIS-UV), en el rango 10-300K
• Medida de electroluminiscencia
• Medida de FTIRS (600 nm-20 micras)

• Preparación dispositivo
• Medida de responsividad espectral de detectores (desde 12 micras a 200 nm)
• Medida de emisión espectral láser (desde 600 a 1700 nm)
• Medida de emisión espectral luminiscente (desde 200 nm a 2.5 micras)
• Medida de curvas L-I de láseres en UV-VIS-IR

• Medidas de resistividad, temperatura ambiente
• Medida de propiedades de transporte por efecto Hall, variable con la temperatura (15-300K)
• Medida de I-V y C-V, temperatura ambiente, dependencia con la temperatura y con la frecuencia
• Medida de ciclos de histéresis en películas delgadas

• Medidas de espesores de láminas y perfiles
• Fotografía microscopio de contraste y polarización
• Preparación de muestras para estudio SEM
• Caracterización EDX en SEM, con referencia
• Caracterización de superficies en SEM
• Caracterización AFM y MFM
• Espectro de Difracción de Rayos-X

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El NTC a través de sus instalaciones de Micro/Nanofabricación y laboratorios asociados oferta a la ICTS las siguientes técnicas:

• Procesos Térmicos para oxidación y Recocido
• Horno de «rapid thermal annealing»

• Deposición de polisilicio y dieléctricos por PECVD
• Óxido de Silicio basado en TEOS dopado con B&P
• Sistemas de evaporación por PVD (Deposición Física por Vapor) y e-beam

• Sistemas de procesado de fotorresinas y revelado
• UV Mask aligner and I-line stepperP
• e-beam direct writing

• Ataque seco (ICP-RIE): ataque de polisilicio y dieléctricos y ataques de óxido
• Ataque de fotorresinas

• Ataque y limpiezas químicas
• Procesos de Lift-Off

• Implantador iónico

• Die-attach
• Wire-bonding, Ribbon Bonding
• Flip-chip
• Thermocompresión
• Reflow (flux-free) con laser
• Flux less / solder paste / void free soldering
• Wafer bump reflow
• Empalme de fibras

• Caracterización física (SEM, AFM, Perfilómetro)
• Espectroscopia RAMAN
• Microscopía NSOM
• Caracterización óptica (FTIR, Medida de índice de refracción)
• Caracterización eléctrica (IV, EQE/IQE, Lifetime, Resistencia de hoja y contacto)